دومین نسل از لیتوگرافی ۳ نانومتری TSMC یکقدم دیگر به تولید انبوه نزدیکتر شد
دومین نسل از لیتوگرافی ۳ نانومتری TSMC یکقدم دیگر به تولید انبوه نزدیکتر شد
شرکت Alphawave میگوید مرحلهی Tape-Out یکی از اولین تراشههای مبتنیبر لیتوگرافی N3E شرکت TSMC را به پایان رسانده است. Tape-Out آخرین مرحله از فرایند طراحی تراشه قبل از ورود به خط تولید است. N3E دومین نسل از لیتوگرافی کلاس سه نانومتری TSMC محسوب میشود.
براساس گزارش تامز هاردور، تراشهی سه نانومتری موردبحث در کارخانههای TSMC ساخته شده و با موفقیت از تمامی آزمونهای لازم سربلند بیرون آمده است. TSMC که بزرگترین تولیدکنندهی قراردادی تراشه در دنیا و یکی از اصلیترین بازیگران این صنعت محسوب میشود، بهزودی تراشهی سه نانومتری جدید را در رویداد OIP به نمایش خواهد گذاشت.
مقایسهی لیتوگرافیهای TSMC | |||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
– | N4 دربرابر N5 | N4P دربرابر N5 | N4P دربرابر N4 | N4X دربرابر N5 | N4X دربرابر N4P | N3 دربرابر N5 | N3E دربرابر N5 |
مصرف انرژی | کمتر | ۲۲ درصد کمتر | – | ؟ | ؟ | ۲۵ تا ۳۰ درصد کمتر | ۳۴ درصد کمتر |
بهبود عملکرد | بیشتر | ۱۱ درصد بیشتر | ۶ درصد بیشتر | ۱۵ درصد یا بیشتر | ۴ درصد یا بیشتر | ۱۰ تا ۱۵ درصد بیشتر | ۱۸ درصد بیشتر |
ناحیهی منطقی | ۰٫۹۴ برابر بیشتر | ۰٫۹۴ برابر بیشتر | – | ؟ | ؟ | ۰٫۵۸ برابر بیشتر | ۰٫۶۲۵ برابر بیشتر |
فضای اشغال شده | ۶ درصد کمتر | ۶ درصد کمتر | – | ؟ | ؟ | ۴۲ درصد کمتر | ۳۷٫۵ درصد کمتر |
تراکم ترانزیستورهای منطقی | ۱٫۰۶ برابر بیشتر | ۱٫۰۶ برابر بیشتر | – | ؟ | ؟ | ۱٫۷ برابر بیشتر | ۱٫۶ برابر بیشتر |
زمان آغاز تولید انبوه | ۲۰۲۲ | ۲۰۲۳ | نیمهی دوم ۲۰۲۲ | ۲۰۲۳ | ۲۰۲۳ | نیمهی دوم ۲۰۲۲ | فصل دوم یا فصل سوم ۲۰۲۳ |
تراشهی سه نانومتری مبتنیبر لیتوگرافی N3E که Alphawave IP ZeusCORE100 نام دارد از چندین استاندارد نظیر اترنت ۸۰۰ گیگابیتی و OIF 112G-CEI و PCIe 6.0 و CXL3.0 که در سالهای آینده محبوبتر خواهند شد استفاده میکند. تراشهی موردبحث برای سرور تولید شده است.
مدیرعامل Alphawave میگوید شرکتش مفتخر است که در بین اولین مشتریان لیتوگرافی سه نانومتری جدید TSMC حضور دارد: «همکاری ما به توسعهی فناوریهای نوآورانه و سیستمهای ارتباطی پرسرعت برای استفاده در پیشرفتهترین دیتاسنترها میانجامد.»
- TSMC جزئیات پنج لیتوگرافی 3 نانومتری خود را اعلام و فناوری FinFlex را معرفی کرد
- TSMC تولید تراشههای مبتنیبر لیتوگرافی 3 نانومتری را بهزودی آغاز خواهد کرد
TSMC گفته است که در عرض دو تا سه سال آینده پنج لیتوگرافی کلاس سه نانومتری وارد خط تولید میکند. نسل اول این لیتوگرافی یعنی N3 توسط شماری از اصلیترین مشتریان TSMC نظیر اپل استفاده خواهد شد. در نسل دوم لیتوگرافی سه نانومتری زمان تولید تراشه کم میشود، مصرف انرژی پایین میآید و ضمن بالا رفتن بازدهی تولید ویفر، تراشهها قدرت پردازشی بیشتری ارائه خواهند داد.
پس از شروع تولید انبوه تراشههای مبتنیبر N3E در سال آیندهی میلادی، نوبت به لیتوگرافیهای N3P و N3S و N3X خواهد رسید. N3P متمرکز بر قدرت پردازشی است، N3S برای تراشههایی که نیازمند تراکم بالای ترانزیستور هستند استفاده میشود و در نهایت N3X مخصوص ریزپردازندهها خواهد بود.