تایوانی‌ها جزئیات فرایند ساخت ۲ نانومتری TSMC را اعلام کردند؛ برتری چشمگیر بر ۳ نانومتر

TSMC جزئیات بیشتری درباره‌ی فناوری ۲ نانومتری N2 خود فاش کرد. این شرکت می‌گوید در نرخ‌های بازدهی و معیارهای عملکرد، پیشرفت‌های قابل توجهی به‌دست آورده است.

استفاده از نانو ورق TSMC موسوم به N2، باعث افزایش قابل توجهی در عملکرد این نود شده است و پتانسیل عظیمی را نشان می‌دهد.

فرایند ۲ نانومتری TSMC یکی از مورد انتظارترین تحولات در بازار است، به‌ویژه ازآنجاکه انتظار می‌رود نود مذکور جهش‌های بزرگی در عملکرد و نتایج کارایی به ارمغان بیاورد. پیش‌بینی می‌شود فرایند ۲ نانومتری N2 تا نیمه‌ی دوم سال ۲۰۲۵ به تولید انبوه برسد و اکنون اطلاعاتی درباره‌ی عملکرد ۲ نانومتر در مقایسه با نسل‌های قبلی در دسترس قرار دارد.

اطلاعات مذکور در جلسه‌ی توجیهی TSMC در نشست بین‌المللی دستگاه‌های الکترونیکی IEEE (IEDM) در سن‌فرانسیسکو به دست آمد؛ جایی که نانو ورق‌های ۲ نانومتری در کانون توجه قرار داشتند.

TSMC

TSMC تأکید می‌کند فرایند ۲ نانومتری این شرکت ۱۵ درصد افزایش عملکرد را تجربه کرده و مصرف برق آن تا ۳۰ درصد کمتر است و به افزایش قابل توجهی در کارایی نود منجر می‌شود. همچنین فرایند مذکور به افزایش ۱٫۱۵ برابری در چگالی ترانزیستور می‌انجامد. در نهایت، استفاده از ترانزیستورهای نانو ورق به فناوری (GAA) و N2 نانوفلکس مربوط می‌شود. این فناوری به تولیدکنندگان اجازه می‌دهد تا سلول‌های منطقی مختلف را در کمترین فضا فشرده و عملکرد نود را بهینه‌سازی کنند.

با انتقال از فناوری سنتی FinFET به نانو ورق اختصاصی N2، شرکت TSMC توانسته است کنترل بیشتری بر جریان الکتریکی ایجاد کند و به تولیدکنندگان این امکان را می‌دهد تا پارامترها را بسته به موارد استفاده از فرایند تنظیم کنند؛ زیرا نانو ورق‌ها دارای دسته‌ای از نوارهای باریک سیلیکونی هستند که هر یک به دور یک گیت احاطه شده‌اند و در نهایت کنترل دقیق‌تری را در مقایسه با پیاده‌سازی FinFET امکان‌پذیر می‌کنند.

با استفاده از فناوری N2، شرکت TSMC افزایش قابل توجهی در قابلیت‌ها به ارمغان می‌آورد؛ به‌ویژه زمانی که آن را با ۳ نانومتر و مشتقات آن مقایسه کنید. به همین دلیل پیش‌بینی می‌شود فرایند ۲ نانومتری به‌طور گسترده‌ای از سوی غول‌های صنعتی مانند اپل و انویدیا مورد پذیرش قرار گیرد.

همچنین افزایش بهبودها در فرایند N2 TSMC به‌صورت موازی باعث افزایش در قیمت ویفرها خواهد شد و هزینه‌ها بیش از ۱۰ درصد نسبت به ۳ نانومتر افزایش می‌یابند. گفته می‌شود که قیمت یک ویفر N2 ممکن است در حدود ۲۵,۰۰۰ تا ۳۰,۰۰۰ دلار برای هر قطعه باشد، بسته به اینکه TSMC چگونه آن را تنظیم کند.

افزایش قیمت فناوری N2، عدد بزرگی در مقایسه با ۳ نانومتر محسوب می‌شود که حدود ۲۰,۰۰۰ دلار قیمت دارد. همچنین باید توجه داشت که وقتی نرخ‌های بازده اولیه و تولید آزمایشی را در نظر بگیرید، تولید نهایی بسیار محدودتر خواهد بود، به این معنی که پذیرش فرایند دو نانومتری در ابتدا کندتر خواهد بود.