لیتوگرافی ۳ نانومتری GAA سامسونگ نرخ بازدهی کمتری از لیتوگرافی ۴ نانومتری آن دارد

نرخ سود خالص سالانه‌ی سامسونگ از فناوری ۳ نانومتری GAA حاکی از این امر است که بازده‌ غول فناوری کره‌ای به‌تازگی به ۱۰ تا ۲۰ درصد رسیده است. فرایند ۴ نانومتری این شرکت که در تکمیل سفارش‌های اسنپدراگون ۸ نسل یک کوالکام به‌کار رفت، با نرخ بازدهی حدود ۳۵ درصد، نتایج بهتری برای سامسونگ به‌همراه داشت.

البته باید توجه کرد که ۳۵ درصد هم در‌مقایسه‌با پیشرفت ۷۰ درصدی TSMC، درصدی بسیار ناامیدکننده است و همین امر مهاجرت کوالکام به شرکت تایوانی را برای سفارش‌های اسنپدراگون ۸ نسل یک و اسنپدراگون ۸ نسل یک پلاس را توجیه می‌کند.

نسل دوم فرایند ۳ نانومتری سامسونگ قرار است سال آینده راه‌اندازی شود و در‌صورتی‌که نرخ بازده این فرایند از نرخ فعلی بیشتر نشود، کوالکام چاره‌ای نخواهد داشت جز اینکه سفارش‌های نسل بعدی اسنپدراگون ۸ نسل ۲ خود را با پرداخت مبلغی اضافی به TSMC بسپارد.

قبلاً اعلام شده بود که سامسونگ قصد دارد خانواده‌ی کاملاً جدیدی از پردازنده‌ی اگزینوس را برای گوشی‌های سری گلکسی آینده‌ی خود تولید کند؛ اما به فرایند تولید این پردازنده اشاره‌ای نشده بود. حالا برخی منابع بر این باورند که هدف اولیه‌ی راه‌اندازی فرایند ۳ نانومتری GAA سامسونگ تولید پردازنده‌های اگزینوس جدید بود. براساس تجربیات قبلی، TSMC تراشه‌های باکیفیت‌تری از سامسونگ تولید می‌کند و تا‌به‌حال نیز گزارشی مبنی‌بر مشکلاتی مشابه برای این سازنده‌‌ی تایوانی منتشر نشده است. دلیل سفارش‌های انبوه غول‌هایی مانند اپل به TSMC نیز همین امر است.

اولین تراشه‌ی ۴ نانومتری TSMC تراشه‌ی دایمنسیتی ۹۰۰۰ مدیاتک و سریع‌ترین تراشه‌ی گوشی‌های اندرویدی موجود است که نشان می‌دهد فرایند تولید برتر می‌تواند در عملکرد و بهره‌وری انرژی حرفی زیادی برای گفتن داشته باشد.