سامسونگ سال آینده پردازنده ۲ نانومتری می‌سازد

واحد تراشه‌سازی سامسونگ طی چند سال اخیر وضعیت چندان خوبی را تجربه نکرده است. هیچ شرکت مطرحی غیر از Samsung LSI (که تراشه‌های اگزینوس را طراحی می‌کند)، از لیتوگرافی ۳ نانومتری و نسل جدیدتر لیتوگرافی ۴ نانومتری شرکت Samsung Foundry استفاده نکرده‌اند. با وجود این، سامسونگ فاندری همچنان روی توسعه‌ی لیتوگرافی ۲ نانومتری کار می‌کند.

طبق گزارش Business Korea، سامسونگ بر توسعه‌ی نسل بعدی ترانزیستور Gate-All-Around (GAA) تمرکز دارد که در فرایند تولید تراشه‌های ۲ نانومتری استفاده خواهد شد. تولید انبوه تراشه‌های ۲ نانومتری مبتنی‌بر این فناوری برای سال آینده برنامه‌ریزی شده است.

GAA نوع جدیدی از طراحی ترانزیستور است که باعث بهبود جریان و بازدهی انرژی می‌شود. این فناوری با نسل اول فرایند ۳ نانومتری Samsung Foundry معرفی شد و تاکنون هیچ شرکت دیگری از جمله AMD، اپل، مدیاتک، انویدیا و کوالکام از آن استفاده نکرده‌اند. انتظار می‌رود System LSI اولین شرکتی باشد که از فرایند ۳ نانومتری Samsung Foundry استفاده می‌کند.

تراشه‌های مبتنی‌بر فناوری ۳ نانومتری GAA نسل اول درمقایسه‌با تراشه‌های ساخته‌شده با فرایند ۵ نانومتری Samsung Foundry، تا ۱۶ درصد کاهش ابعاد، ۲۳ درصد بهبود عملکرد و ۴۵ درصد بازدهی انرژی بهتری دارند.

نسل دوم فناوری ۳ نانومتری سامسونگ، ۳۵ درصد کاهش ابعاد تراشه، ۳۰ درصد بهبود عملکرد و ۵۰ درصد بازدهی انرژی بهتری ارائه خواهد داد. طبق گزارش‌ها، فناوری GAA نسل سوم که در تراشه‌های ۲ نانومتری استفاده خواهد شد، ۵۰ درصد کاهش ابعاد و ۵۰ درصد عملکرد بهتر را برای تراشه‌ها به ارمغان می‌آورد.