آیا هواوی هم پردازنده پیشرفته ۲ نانومتری می‌سازد؟

هواوی سندی تازه در حوزه‌ی لیتوگرافی به ثبت رساند که می‌تواند مسیر رقابت جهانی تراشه‌ها را تغییر دهد. این پتنت که در ۲۰۲۲ ثبت شده و اکنون با اشاره‌ی فردریک چن پژوهشگر باسابقه‌ی تراشه‌ها منتشر شده، روشی را توضیح می‌دهد که با اتکا به ابزارهای DUV (یعنی همان تجهیزاتی که با وجود محدودیت‌های غرب همچنان در دسترس چین است) امکان تولید تراشه‌های کلاس ۲ نانومتر را فراهم می‌کند؛ تجهیزاتی که شامل ماشین‌های EUV شرکت ASML نمی‌شود.

در این طرح، هواوی با تکیه بر لیتوگرافی پیشرفته‌ی «الگوی‌گذاری چهارترازی خودهم‌تراز» یا SAQP می‌کوشد به فاصله‌ی فلزی ۲۱ نانومتر برسد؛ معیاری حیاتی که تراشه را در سطح لیتوگرافی ۲ نانومتر شرکت‌هایی مانند TSMC و سامسونگ قرار می‌دهد؛ شرکت‌هایی که وابستگی کامل به EUV دارند.

هسته‌ی این روش، نسخه‌ی بهینه‌شده‌ای از SAQP است که تعداد نوبت‌های نوردهی در DUV را به چهار مرحله کاهش می‌دهد؛ عددی بسیار کمتر از طرح‌های چندمرحله‌ای رایج که معمولاً با نوردهی‌های متعدد و پیچیدگی بسیار همراه هستند.

هواوی قصد دارد با فشار حداکثری بر زیرساخت DUV، از تراشه‌ی تازه معرفی‌شده‌ی Kirin 9030 که بر پایه‌ی لیتوگرافی N+3 شرکت SMIC تولید شد، جهشی مستقیم به نسل ۲ نانومتر انجام دهد؛ بدون اتکا به تجهیزات EUV که صادرات آن‌ها محدود شده است.

کارشناسان محتاط‌اند. حتی اگر این روش در سطح آزمایشگاهی موفق شود، تردیدهایی جدی درباره‌ی امکان تولید انبوه آن وجود دارد. الگوی‌گذاری چهارترازی در این ابعاد می‌تواند منجر به افت بازده، افزایش نقص‌ها و هزینه‌های سنگین شود؛ عواملی که باعث شد صنایع پیشرو برای لیتوگرافی ۳ نانومتر و پایین‌تر به سمت EUV حرکت کنند.

اگر دستورالعمل ۲ نانومتری مبتنی‌بر SAQP روزی به تولید انبوه برسد، گامی بی‌سابقه در برابر فشارهای تحریمی خواهد بود. فعلاً این پتنت بیانگر اراده‌ی هواوی و یادآوری این نکته است که چین تا چه اندازه برای تحقق خودکفایی، حاضر است مرزهای فناوری لیتوگرافیِ نسل‌های قدیمی را جابه‌جا کند.